一种具有动态保护机制的GaN 功放负压偏置电路

作　　者： 李栋

摘　　要： 氮化镓（GaN）功率放大器作为 5G 基站和雷达 T/R 组件的核心部件，其耗尽型器件特性要求严格的栅极负压时序保护。传统方案存在时序误差大、开关响应慢及多通道负载不均等问题，易因栅压和漏压的上下电时序问题引发静态电流激增而烧毁器件。文章基于硬件电路进行时序检测与控制，实现上电时栅压先建立、漏压后导通；下电时漏压先关断、栅压滞后关断，并通过比较器实时监控栅压安全区间，超限触发漏极快速关断。采用 PMOS 开关缓启动电路，避免开关导通瞬间的尖峰电流引起电源过载。结合栅压温度补偿电路，在 -40℃ ~80℃温度范围内都能保持功率管的静态电流稳定，显著提升了系统的可靠性。

来　　源： 《信息产业报道》 2025-10