基于物理建模的 SiC MOSFET 器件设计与性能分析
作 者：
雷旺
摘 要：
文章基于物理建模方法，结合漂移扩散模型和界面陷阱模型，在 Sentaurus TCAD 平台上建立了 SiC MOSFET 的二维器件结构，并对关键几何参数、热边界条件和电气边界条件进行了设定。通过器件制备、实验测试和模型对比分析，获得了击穿电压、阈值电压、导通电阻及开关损耗等性能数据。仿真结果与实测结果高度一致，验证了建模方法的准确性。研究结果为 SiC MOSFET 在高频、高温功率电子领域的优化设计提供了理论基础与实验依据，具有重要的工程应用价值。
来 源：
《信息产业报道》 2025-08